DTB结晶器内部设置不同的功能区：导流区，晶体生长区，澄清区
导流区位于导流筒处，流速快，湍动程度大，可以将高温的贫锰溶液与进料的低温高浓度溶液充分混合，是的进料溶液温度迅速上升，同时降低了进料溶液的过饱和度，使得硫酸锰晶体有更大的生长空间且不会形成过高的饱和度。
晶体生长区位于结晶器中部，给小颗粒晶体的长大提供容器和停留时间，大的晶体颗粒在重力作用下下降到出料口处，小的晶体颗粒则由于流体的湍动重新回到导流筒处，再次在结晶生长区停留，慢慢长大。
澄清区位于结晶器器壁处，套筒与器壁中间，此处流体流动非常弱，稍微大一些的颗粒在重力作用下无法从澄清区流出，在结晶器内部形成了固液分离，可以避免离心过程中降温导致的晶体返溶和离心机穿滤。
DTB结晶特点：晶体粒度比FC型结晶器要大，粒径在0.2-1.2mm，颗粒均匀，表面光洁，不同的产品，晶型特征不一样，但是一定范围内，粒径大小可以调整。
